問(wèn)答題簡(jiǎn)述BGA的安裝互聯(lián)技術(shù)？

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圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

題型：?jiǎn)柎痤}

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

題型：?jiǎn)柎痤}

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

題型：?jiǎn)柎痤}

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。

題型：?jiǎn)柎痤}

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

題型：?jiǎn)柎痤}

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

題型：?jiǎn)柎痤}

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

題型：多項(xiàng)選擇題

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

題型：?jiǎn)柎痤}

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

題型：?jiǎn)柎痤}