版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？