根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。