晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。