填空題LTE中分兩種隨機接入過程,分別是()的隨機接入過程和()的隨機接入過程。
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性能指標如果發(fā)生突變,或者明顯不合理,很有可能是設(shè)備或()的問題。
題型:填空題
由性能閾值產(chǎn)生的告警為()告警。
題型:填空題
在算干擾余量時不用考慮系統(tǒng)負載。()
題型:判斷題
對于節(jié)假日和重大活動網(wǎng)絡(luò)保障,應(yīng)提前對eNB運行溫度進行巡檢——單板運行溫度應(yīng)不高于60攝氏度,超過70攝氏度的應(yīng)列為()處理。
題型:填空題
TD-LTE網(wǎng)絡(luò)容量規(guī)劃必須通過()獲得。
題型:填空題
TD-LTE先對于TD-SCDMA系統(tǒng)的小區(qū)重選區(qū)別在于引入了()。
題型:填空題
TD-LTE系統(tǒng)EPC中,完成NAS層信令處理的網(wǎng)元是()。
題型:填空題
切換過程可以采用競爭接入過程也可以采用()接入過程。
題型:填空題
TD-LTE系統(tǒng)中,RLC層不加頭的實體是()模式實體。
題型:填空題
在進行更換或互換單板時,一定要在()或()進行,盡量減少對正常業(yè)務(wù)的影響。
題型:填空題