A、MU1.5
B、MU2.5
C、MU10.0
D、MU15.0
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A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現(xiàn)場檢驗
D、見證檢驗
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、密度和強(qiáng)度
D、吸水率和相對含水率
A、新產(chǎn)品投產(chǎn)或產(chǎn)品定型鑒定時;
B、砌塊的原材料、配合比及生產(chǎn)工藝發(fā)生較大變化時;
C、正常生產(chǎn)六個月時(干燥收縮率、碳化系數(shù)和抗凍性每年一次)
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個月以上恢復(fù)生產(chǎn)時
A、防雨
B、防潮
C、排水
D、防曬
A、承重
B、非承重
C、防火墻
D、防輻射墻
最新試題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
硅片拋光在原理上不可分為()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()