多項選擇題不是砼抗折試件的尺寸和形狀的試件有()。
A、150×150×150mm立方體
B、150×150×300mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×550mm立方體
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1.多項選擇題以下()尺寸和形狀的試件是砼靜力受壓彈性模量標準試件。
A、150×150×150mm立方體
B、150×150×300mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×600mm立方體
2.多項選擇題以下()尺寸和形狀的試件是砼軸心抗壓強度標準試件。
A、150×150×150mm立方體
B、150×150×300mm棱柱體
C、100×100×100mm立方體
D、Φ150×300mm圓柱體
3.多項選擇題以下()尺寸和形狀的試件是砼劈裂抗拉強度標準試件。
A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、150×150×300mm棱柱體
D、Φ150×300mm圓柱體
4.多項選擇題以下()尺寸和形狀的試件是砼抗壓強度標準試件。
A、150×150×150mm立方體
B、100×100×100mm立方體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×300mm棱柱體
5.多項選擇題制作砼抗壓強度同組試件的砼拌合物應從()砼中取樣。
A、同一盤
B、連續(xù)三盤
C、同一車
D、連續(xù)三車
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題