單項選擇題實驗用測力系統(tǒng)中應變的不確定度應不大于（）
A、1%
B、0.5%
C、0.2%
D、0.1%
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題錨具靜載實驗用測力系統(tǒng)的不確定度應不大于（）
A、0.5%
B、1%
C、2%
D、5%
2.單項選擇題HRC硬度標識使用的是（）
A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
3.單項選擇題140HBW硬度標識使用的是（）
A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
4.單項選擇題一般情況下錨具的硬度要求在哪里可以看到（）
A、設計圖
B、產(chǎn)品質(zhì)保書
C、合同約定內(nèi)容
D、根據(jù)錨固方式查表
5.單項選擇題YJM15-7表示的是（）
A、用于夾持15根φ7的夾頭
B、用于夾持15根φ7的錨具
C、用于夾持7根φ15的夾頭
D、用于夾持7根φ15的錨具
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題