欧美性人妖xxxxx极品,91精品国产福利姬喷水福利 ,亚洲无码全部视频

填空題用半導(dǎo)體的微細加工技術(shù)，在非晶基片上通過使用微細的表面結(jié)構(gòu)，考察了單晶成長方法，并命名為（）

1.填空題MBGE法成為多晶的理由是，有（）得到的金字塔形的山和谷的距離只有約1µm左右，因此可以認為在結(jié)晶核和生長層之間不形成溫度差。

2.填空題在太陽能電池制造技術(shù)的開發(fā)中，主要是以將（）與屋頂材料、壁材料等一體化、低成本化為目的，主要集中在創(chuàng)意性優(yōu)秀的建材一體化模板的開發(fā)方面。

3.填空題在太陽能電池制造技術(shù)的開發(fā)中，作為主流的結(jié)晶系太陽能電池有（）和薄膜多晶太陽能電池等。

4.填空題新能源導(dǎo)入目標主要有（）和（）領(lǐng)域。

5.填空題21世紀太陽光發(fā)電技術(shù)，在用途方面對（）；（）、輕量型太陽能電池、AC模板等太陽能電池的多功能化、色素增感等新型太陽能電池也會有更高的期望。