圖所示的標準試件可用來測定（）。

當激勵電壓加于一次繞組時，只有磁通量是同相的，且二次磁通量較小。當試驗物體插入該線圈時，將發(fā)生什么情況（）。

下面哪種是圍繞線圈在導體中感應出的渦流的一個性質（）。

試驗線圈激勵電流應保持恒定，這樣用渦流系統(tǒng)得到的試件信息（）。

分析底片上出現(xiàn)白色（黑度低于周圍焊縫或母材的黑度）缺陷影像的原因？

新置的Ir192γ射線源，其活度為40Ci，現(xiàn)今時隔300天，已知，Ir192γ射線源的半衰期為75天。求該源現(xiàn)在的活度？該源新置時，對某工件進行射線照相的曝光時間為4min，若所有條件不變，現(xiàn)今應曝光多少分鐘？

以通有交流電的圓筒型線圈中放有長導電圓柱體試件為例，簡述福斯特模型的基本內容。說明什么叫做有效磁導率？并寫出其數(shù)學表達式。

阻抗圖中，實線曲線是什么值不同的曲線（）。

用××2005型×光機180KV管電壓透照Φ51*3.5的管子環(huán)焊縫，已知焊縫寬度b=10mm，焦點尺寸3*3，試求①滿足Ug=3Ui，橢圓開口間距g=5mm時的透照距離L1和透照偏移距離S（設Ui=0.0013V0.8，膠片離管子底面距離3mm）②若透照距離L1=800mm，則此時Ug為Ui的幾倍？

寫出VC-S滲透探傷的工藝流程。