單項(xiàng)選擇題()是用D型觸發(fā)器來(lái)存儲(chǔ)寫(xiě)入的內(nèi)容,除非寫(xiě)入新的內(nèi)容或電源關(guān)斷,它的內(nèi)容可以保持不變

A、靜態(tài)RAM
B、動(dòng)態(tài)RAM
C、靜態(tài)ROM
D、靜態(tài)ROM


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1.單項(xiàng)選擇題隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器分為()

A、靜態(tài)ROM和動(dòng)態(tài)ROM
B、靜態(tài)RAM和動(dòng)態(tài)ROM
C、靜態(tài)ROM和動(dòng)態(tài)RAM
D、靜態(tài)RAM和動(dòng)態(tài)RAM

2.單項(xiàng)選擇題EEPROM是電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器的縮寫(xiě),它的內(nèi)容也由用戶寫(xiě)入,()

A、是用戶用編程器一次性寫(xiě)入的,不能再改變
B、可在紫外線燈的照射下擦除,反復(fù)多次地擦除和寫(xiě)入
C、在寫(xiě)入新的內(nèi)容時(shí),原來(lái)的內(nèi)容會(huì)自動(dòng)清除,允許反復(fù)多次寫(xiě)入
D、在其制造過(guò)程中確定,不允許再改變

3.單項(xiàng)選擇題PROM是可編程只讀存儲(chǔ)器的縮寫(xiě),它的內(nèi)容()

A、是用戶用編程器一次性寫(xiě)入的,不能再改變
B、可在紫外線燈的照射下擦除,反復(fù)多次地擦除和寫(xiě)入
C、在寫(xiě)入新的內(nèi)容時(shí),原來(lái)的內(nèi)容會(huì)自動(dòng)清除,允許反復(fù)多次寫(xiě)入
D、在其制造過(guò)程中確定,不允許再改變

4.單項(xiàng)選擇題ROM又稱掩膜只讀存儲(chǔ)器,它存儲(chǔ)的內(nèi)容()

A、是用戶用編程器一次性寫(xiě)入的,不能再改變
B、可在紫外線燈的照射下擦除,反復(fù)多次地擦除和寫(xiě)入
C、在寫(xiě)入新的內(nèi)容時(shí),原來(lái)的內(nèi)容會(huì)自動(dòng)清除,允許反復(fù)多次寫(xiě)入
D、在其制造過(guò)程中確定,不允許再改變

5.單項(xiàng)選擇題()按照其編程方式不同,可分為ROM、PROM、EPROM、EEPROM等

A、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器
B、隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器
C、只讀存儲(chǔ)器
D、系統(tǒng)存儲(chǔ)器

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