單項(xiàng)選擇題假定某放射性同位素的衰變常數(shù)λ=0.231/年，則其半衰期為（）。
A.5.3年
B.33年
C.3年
D.75天
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1.單項(xiàng)選擇題放射性物質(zhì)原子數(shù)衰變到原來（）所需的時(shí)間稱為半衰期。
A.1/2
B.1/4
C.1/3
D.1/5
2.單項(xiàng)選擇題放射性同位素衰變時(shí)，同位素的原子核以（）方式蛻變。
A.粒子發(fā)射
B.K俘獲
C.淹滅輻射
D.A和B
3.單項(xiàng)選擇題射線探傷的基本原理是利用射線穿透物質(zhì)時(shí)（）產(chǎn)生的物理作用。
A、射線能量的衰減
B、射線強(qiáng)度的衰減
C、射線性質(zhì)的轉(zhuǎn)換
D、以上都是
4.單項(xiàng)選擇題原子核外電子能級(jí)最高的是（）。
A.外殼層
B.中間殼層
C.內(nèi)殼層
D.以上均不是
5.單項(xiàng)選擇題對(duì)連續(xù)X射線的強(qiáng)度與靶材的原子序數(shù)關(guān)系的敘述正確的是（）。
A.強(qiáng)度與原子序數(shù)成正比
B.強(qiáng)度與原子序數(shù)不成正比
C.強(qiáng)度與原子序數(shù)成反比
D.強(qiáng)度與原子序數(shù)的平方成正比
最新試題
下面關(guān)于斷電相位控制器的敘述中，正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
熒光磁粉顯示應(yīng)在（）光線下檢驗(yàn)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
按照放射衛(wèi)生防護(hù)基本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，對(duì)于X射線和γ射線工作人員的年照射劑量不得超過（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
射線機(jī)窗口加過濾器的目的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
曝光量和管電壓隨材料厚度變化的曲線是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與X射線機(jī)相比γ射線照相的優(yōu)點(diǎn)是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下述有關(guān)咬邊缺陷產(chǎn)生原因的敘述，哪一條是錯(cuò)誤的（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
中子射線具有獨(dú)特的穿透能力，但容易被（）吸收。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一因素不是導(dǎo)致冷裂紋產(chǎn)生的原因（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
高速電子受到陽極靶的（）阻止而產(chǎn)生連續(xù)X射線。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題