A.時(shí)隙比例3：3，配置2個(gè)HSPDSCH時(shí)隙
B.時(shí)隙比例2：4，配置2個(gè)HSPDSCH時(shí)隙
C.時(shí)隙比例2：4，配置3個(gè)HSPDSCH時(shí)隙
D.時(shí)隙比例1：5，配置4個(gè)HSPDSCH時(shí)隙
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.27dBm
B.32dBm
C.33dBm
D.15dBm
A.AccessClass 0~9
B.AccessClass 11
C.AccessClass 0~9 and 11
D.AccessClass 0
A.1dB
B.2dB
C.3dB
D.4dB
A.4dB
B.6dB
C.8dB
D.10dB
A.當(dāng)特定測(cè)量事件的觸發(fā)條件滿足后，延遲一段時(shí)間（即觸發(fā)時(shí)間TimeToTrigger）后上報(bào)該事件。
B.只有當(dāng)特定測(cè)量事件的觸發(fā)條件在一段時(shí)間（即觸發(fā)時(shí)間TimeToTrigger）內(nèi)始終滿足事件條件才上報(bào)該事件。
C.當(dāng)上報(bào)特定事件后，在一段時(shí)間（即觸發(fā)時(shí)間TimeToTrigger）內(nèi)不再重復(fù)上報(bào)該事件。
D.以上全不對(duì)。
最新試題
指出符合描述的計(jì)時(shí)器，在手機(jī)側(cè)當(dāng)收到最后一個(gè)RLC層的數(shù)據(jù)幀時(shí)啟動(dòng)并等待當(dāng)前TBF釋放（）.
無(wú)線環(huán)境中的衰耗包括慢衰落、（）、路徑損耗等，其中快衰落服從瑞利分布。
對(duì)于1mw的功率，按dBm單位進(jìn)行折算后的值應(yīng)為（）dBm。
UE在業(yè)務(wù)過(guò)程中的切換由哪個(gè)網(wǎng)絡(luò)實(shí)體決定（）.
R4中TD-SCDMA使用的調(diào)制方式有（）。
MSI結(jié)合（IMSIattach）和普通位置更新的區(qū)別在于（）.
TD-SCDMANodeB的最簡(jiǎn)配置中，下面哪些單板是不需要的（）。
UMTS系統(tǒng)由CN、UTRAN和UE三部分構(gòu)成，其中UE和UTRAN的接口為：Uu接口，UTRAN內(nèi)NodeB和RNC的接口為Iub接口，RNC與CN的接口為Iu接口，RNC之間的接口為（）接口。
TD系統(tǒng)中信道命名有新的變化，傳輸信道BCH所映射到的物理信道是PCCPCH，其中文名稱是（）。
TD-SCDMAR4系統(tǒng)采用的是（）的調(diào)制方式，HSDPA在信道條件良好的情況下，使用16QAM的調(diào)制方式，此時(shí)，每個(gè)chip可以攜帶4bit信息。