單項(xiàng)選擇題以下關(guān)于LTE TDD的說(shuō)法正確的是哪個(gè)()

A.上行時(shí)隙轉(zhuǎn)下行時(shí)隙需要一個(gè)特殊時(shí)隙做保護(hù)間隔
B.下行時(shí)隙轉(zhuǎn)上行時(shí)隙需要一個(gè)特殊時(shí)隙做保護(hù)間隔
C.兩種情況都不需要特殊時(shí)隙做保護(hù)間隔
D.兩種情況都需要特殊時(shí)隙做保護(hù)間隔


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1.單項(xiàng)選擇題現(xiàn)網(wǎng)中LTE終端需要報(bào)告以()測(cè)量,進(jìn)行小區(qū)選擇

A.RSSI
B.RSRQ
C.RSRP//參考信號(hào)功率
D.SINR

8.單項(xiàng)選擇題開(kāi)局調(diào)試時(shí),使用LMT連接到eNB是通過(guò)CC單板上的哪個(gè)接口:()

A.EXT接口
B.ETH1接口
C.ETH0接口
D.DTx/Rx接口

9.單項(xiàng)選擇題下列選項(xiàng)中,EPS中eNB與S-GW間的接口為:()

A.X1
B.S1-MME
C.S1
D.S1-U