單項(xiàng)選擇題變頻器按照控制方式分類，可以分為（）三種。

A、U/f比例控制、轉(zhuǎn)差頻率控制、矢量控制
B、脈寬控制、轉(zhuǎn)差頻率控制、矢量控制
C、脈寬控制、矢量控制、U/f比例控制
D、脈寬控制、U/f比例控制、轉(zhuǎn)差頻率控制


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1.單項(xiàng)選擇題變頻器的制動(dòng)方式主要有（）這三種。

A、失電制動(dòng)、交流制動(dòng)、直流制動(dòng)
B、直流制動(dòng)、失電制動(dòng)、能耗制動(dòng)
C、失電制動(dòng)、回饋制動(dòng)、能耗制動(dòng)
D、直流制動(dòng)、回饋制動(dòng)、能耗制動(dòng)

2.單項(xiàng)選擇題變頻器的頻率范圍是指變頻器輸出的最高頻率和最低頻率，通常（）。

A、最低頻率為0.1~1Hz
B、最低頻率為10~20Hz
C、最高頻率為100~200Hz
D、最高頻率為50~100Hz

3.單項(xiàng)選擇題普通變頻器的電壓級(jí)別分為（），選用時(shí)應(yīng)注意其電壓等級(jí)。

A、100V級(jí)與200V級(jí)
B、200V級(jí)與400V級(jí)
C、400V級(jí)與600V級(jí)
D、600V級(jí)與800V級(jí)

4.單項(xiàng)選擇題MOS場(chǎng)效應(yīng)管的英語(yǔ)縮寫是（）。

A、“IGBT”
B、“BJT”
C、“GTO”
D、“MOSFET”

5.單項(xiàng)選擇題可關(guān)斷晶閘管的英語(yǔ)縮寫是（）。

A.“IGBT”
B.“BJT”
C.“GTO”
D.“MOSFET”