A、反射橫波與入射波平行但方向相反
B、入射角為30°時(shí)的反射率最高
C、入射角為45°時(shí)的反射率最高
D、入射角為60°時(shí)的反射率最低
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A、大于60°
B、等于60°
C、小于60°
D、以上都可能
A.界面兩側(cè)介質(zhì)的聲阻抗
B.界面兩側(cè)介質(zhì)的聲速
C.界面兩側(cè)介質(zhì)的衰減系數(shù)
D.以上全部
A、界面兩側(cè)介質(zhì)的聲速
B、界面兩側(cè)介質(zhì)的衰減系數(shù)
C、界面兩側(cè)介質(zhì)的聲阻抗
D、以上全部
A、只繞射,無反射
B、既反射,又繞射
C、只反射,無繞射
D、以上都可能
A、反射
B、折射
C、波型轉(zhuǎn)換
D、以上都可能
最新試題
焊接工藝處理超標(biāo)缺陷必須閱片的主要目的是()。
X光檢驗(yàn)組按復(fù)查清單組織復(fù)查,并出具X光底片復(fù)查報(bào)告,復(fù)查無遺留問題方可進(jìn)行試壓。
對(duì)含有內(nèi)穿過式線圈的薄壁管,影響其阻抗變化的因素有()
一次完整的補(bǔ)焊過程中缺陷是否排除X光透照確認(rèn)可以不限次數(shù),直至缺陷完全排除。
提出有效磁導(dǎo)率的是下列哪位科學(xué)家()
對(duì)焊接接頭穩(wěn)定時(shí)間有規(guī)定的產(chǎn)品,工藝規(guī)程應(yīng)作出規(guī)定,檢驗(yàn)監(jiān)控確認(rèn),檢驗(yàn)蓋章時(shí)穩(wěn)定時(shí)間不足者應(yīng)在申請(qǐng)單注明穩(wěn)定時(shí)間節(jié)點(diǎn),否則X光室視為穩(wěn)定時(shí)間符合要求。
觀察底片時(shí),為能識(shí)別缺陷圖像,缺陷圖像對(duì)比度與圖像噪聲之比應(yīng)不小于識(shí)別閾值。
二次打底焊接或重熔排除,無需辦理相關(guān)手續(xù),直接使用前次的申請(qǐng)手續(xù)。
缺陷分類應(yīng)符合驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)的要求,標(biāo)準(zhǔn)未作規(guī)定的缺陷或不屬于X射線照相檢驗(yàn)范疇的缺陷,必要時(shí)可予以注明供有關(guān)人員參考,但不作為合格與否判定的依據(jù)。
像質(zhì)計(jì)放置次數(shù)一般應(yīng)與透照次數(shù)相同,相同部位、相同的透照條件連續(xù)透照時(shí)可適當(dāng)減少放置次數(shù).但不少于透照次數(shù)的三分之一。