MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？