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填空題
離子注入在襯底中產(chǎn)生的損傷主要有()等三種。
答案:
點(diǎn)缺陷、非晶區(qū)、非晶層
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填空題
常規(guī)平面工藝擴(kuò)散工序中的恒定表面源擴(kuò)散過(guò)程中,雜質(zhì)在體內(nèi)滿(mǎn)足()函數(shù)分布。常規(guī)平面工藝擴(kuò)散工序中的有限表面源擴(kuò)散過(guò)程中,雜質(zhì)在體內(nèi)滿(mǎn)足()函數(shù)分布。
答案:
余誤差;高斯分布
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填空題
制備SiO
2
的方法有()、()、()、()、()等。
答案:
濺射法;真空蒸發(fā)法;陽(yáng)極氧化法;熱氧化法;熱分解淀積法
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