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判斷題電子設(shè)備外部干擾的產(chǎn)生與電子設(shè)備或系統(tǒng)本身的結(jié)構(gòu)以及外部環(huán)境因素有關(guān)。

1.判斷題容量為600～4000kV·A的裝置一般采用GO晶閘管，而容量為4000kV·A以上的裝置才采用普通晶閘管。

2.判斷題電力晶體管（GR）最大容量為1 200V400A，最佳工作頻率約為1～10kHz，適用于500V·A以上的應(yīng)用場合。

3.判斷題電力半導(dǎo)體器件額定電流的選擇依據(jù)是必須大于器件在電路中實際承受的平均電壓，并有2～3倍的裕量。

4.判斷題晶閘管的額定正向平均電流是指：在環(huán)境溫度為+40 ℃，標(biāo)準(zhǔn)散熱及元件導(dǎo)通條件下，陽極和陰極間可連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平均值。

5.判斷題電力半導(dǎo)體器件一般工作在較為理想的開關(guān)狀態(tài)，其顯著特點是導(dǎo)通時壓降很低，關(guān)斷時泄漏電流很小，消耗能量很少或幾乎不消耗能量，具有高效率和節(jié)能的特點。

6.判斷題施密特觸發(fā)器不能把緩慢變化的模擬電壓轉(zhuǎn)換成階段變化的數(shù)字信號。

7.判斷題CMOS集成門電路的輸入阻抗比L集成門電路高。

8.判斷題邏輯電路中的“與”門和“或”門是相對的，即正邏輯“與”門就是負(fù)邏輯“或”門，正邏輯“或”門就是負(fù)邏輯“與”門。

9.判斷題“與”門電路的邏輯功能表達式為Q=A+B+C。

10.判斷題在任何時刻，組合邏輯電路輸入信號的狀態(tài)，僅僅取決于該時刻的輸入信號狀態(tài)，與信號作用之前電路的狀態(tài)無關(guān)。

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