單項(xiàng)選擇題制水陰床出水導(dǎo)電度控制標(biāo)準(zhǔn)是()。

A.≤5μS/cm;
B.≤100mmol/L;
C.≤100mg/L;
D.≤100μg/L。


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2.單項(xiàng)選擇題逆流再生固定床再生時(shí)進(jìn)氣頂壓的目的是()。

A.防止亂層;
B.稀釋再生液;
C.防止中排承壓太高;
D.節(jié)省除鹽水。

3.單項(xiàng)選擇題混床中陰、陽(yáng)樹脂經(jīng)過堿泡后,密度差()。

A.增大;
B.減??;
C.不變;
D.不一定。

4.單項(xiàng)選擇題制水除鹽水箱二氧化硅控制標(biāo)準(zhǔn)是()。

A.≤20μS/cm;
B.≤20mmol/L;
C.≤100mg/L;
D.≤20μg/L。

5.單項(xiàng)選擇題陽(yáng)陰床再生完成后,正洗的目的是清除樹脂中殘余的(),防止再生后可能出現(xiàn)的逆向反應(yīng)。

A.破碎樹脂;
B.碳酸鈣;
C.再生劑和再生產(chǎn)物;
D.氯離子。